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國家知識產權局信息顯示，西安西電高壓開關有限責任公司、中國西電電氣股份有限公司取得一項名為“一種密封端子板氣密性檢測裝置”的專利，授權公告號CN223925947U，申請日期為2025年4月。專利摘要顯示，本實用新型涉及領域，尤其涉及一種密封端子板氣密性檢測裝置，包括上部密封結構、下部密封結構、上注氣管路和下注氣管路；上部密封結構包括上外部套筒和布置于上外部套筒中多個上內部套筒；下部密封結構包括下外部套筒和布置于下外部套筒中的多個下內部套筒；待測密封端子板懸空水平放置于下內部套筒中，下內部套筒與上內部套筒配合壓緊待測密封端子板；下注氣管路的一端與外部汽源連通，另一端與下密封外部腔體、多個下內部套筒連通。本實用新型中上下密封結構通過外部套筒與內部套筒形成雙重密封腔體，結合上下注氣管路獨立供氣，

1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀 - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達 14.25 億元，換手率達 3.30%。天天基金網數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內半導體技術取得重大突破，首條二維半導體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點亮，預計今年 6 月通線，標志著我國在新一代芯片材料領域邁出關鍵一步；全球存儲芯片市場進入 “超級

國家知識產權局信息顯示，微芯片技術股份有限公司申請一項名為“用于離散時間模擬前端的改善型離散時間線性均衡器”的專利，公開號CN121220010A，申請日期為2024年4月。專利摘要顯示，一種裝置包括離散時間線性均衡器電路。離散時間線性均衡器電路包括采樣和保持電路，該采樣和保持電路包括多個開關電容器電路。多個開關電容器電路至少包括預光標抽頭的開關電容器電路、光標抽頭的開關電容器電路和后光標抽頭的開關電容器電路。時鐘驅動開關電路用于在第一時間段內將預光標抽頭的開關電容器電路的電容器可切換地耦合到信號輸入部，在第二時間段內將光標抽頭的開關電容器電路的電容器可切換地耦合到信號輸入部，并且在第三時間段內將后光標抽頭的開關電容器電路的電容器可切換地耦合到信號輸入部。時鐘驅動開關電路用于在第四時間段內將

芯片開封的定義芯片開封，即Decap，是一種對完整封裝的集成電路（IC）芯片進行局部處理的工藝。其目的是去除芯片的封裝外殼，暴露出芯片內部結構，同時確保芯片功能不受損。芯片開封是芯片故障分析實驗的重要準備環(huán)節(jié)，能夠保護芯片的Die、bond pads、bond wires及l(fā)ead等關鍵部分，為后續(xù)的失效分析測試提供便利，便于進行熱點定位、聚焦離子束（FIB）等測試操作。芯片開封的方法1.激光開封激光開封是利用激光束的能量作用于芯片塑封表面，通過氣化作用去除器件填充料。這種方法具有顯著優(yōu)勢，操作速度快，過程簡便，且相對安全，無危險性。激光開封能夠精準地去除封裝材料，而不會對芯片內部結構造成不必要的損傷，因此在芯片開封領域得到了廣泛應用。。2.化學腐蝕化學腐蝕則依賴于特定的化學試劑，如濃硫酸、

來源：界面新聞截至2026年1月21日 11:11，上證科創(chuàng)板芯片設計主題指數(shù)(950162)強勢上漲5.48%，科創(chuàng)芯片設計ETF易方達(589030)一度漲超6%，現(xiàn)漲5.46%，盤中換手32.78%，成交9733.35萬元，市場交投活躍。消息面上，國務院新聞辦公室舉行新聞發(fā)布會，請工業(yè)和信息化部相關負責人介紹2025年工業(yè)和信息化發(fā)展成效以及下一步部署。他表示，下一步，我們將抓好技術創(chuàng)新，加快突破訓練芯片、異構算力等關鍵技術。抓好融合應用，聚焦軟件編程、新材料研發(fā)、醫(yī)藥研發(fā)、信息通信等行業(yè)領域，體系化推動大小模型、智能體實現(xiàn)突破。AI算力需求持續(xù)爆發(fā)，推動先進制程技術加速迭代。財通證券指出，臺積電2025年第四季度營收創(chuàng)歷史新高，先進制程（7nm及以下）營收占比提升至77%，其中3nm

在電源設計領域，寬輸入電壓、高效率的升壓解決方案一直是工程師關注的重點。今天以 H6801 這款電流模式 BOOST 異步升壓控制芯片為例，簡單談談其設計特點與應用思路。一、適應寬電壓輸入范圍H6801 支持 2.7V 至 25V 的輸入電壓，啟動電壓可低至 2.5V。這樣的寬范圍輸入特性，使其能夠兼容多種電源環(huán)境，例如單節(jié)鋰電、多節(jié)串聯(lián)電池或適配器供電場景。芯片內部集成了 40V LDO，進一步增強了供電穩(wěn)定性。二、多模式自動切換與效率表現(xiàn)該芯片可根據(jù)負載情況，在 PWM、PFM 及 BURST 模式之間自動切換。輕載時采用 PFM 或 BURST 模式有助于降低損耗，重載時則以 PWM 模式維持穩(wěn)定輸出。這種動態(tài)調節(jié)機制有助于在全負載范圍內保持較高的轉換效率，典型效率可大于95%。在輸出