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1納米“記憶開關”誕生!中國團隊突破讓低功耗芯片照進現實

2026年03月16日 04:58
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未來,智能手機實現數周超長待機、物聯網傳感器電池續航數年、可穿戴設備告別頻繁充電,這些曾被視為科幻場景的愿景,正隨著一項顛覆性技術突破加速成為現實。北京大學電子學院科研團隊近日宣布,成功研制出全球首款“納米柵超低功耗鐵電晶體管”,這項被國際學術界評價為“四兩撥千斤”的創新成果,為解決芯片能耗難題開辟了全新路徑。

傳統芯片架構中,存儲與計算模塊的物理分離導致數據頻繁搬運,如同廚師烹飪時需反復往返倉庫取調料,既浪費時間又消耗能量。研究團隊負責人邱晨光研究員指出,鐵電晶體管雖具備“存算一體”特性——既能存儲數據又可進行計算,且斷電后信息不丟失,但其高操作電壓導致的巨大功耗始終制約著實際應用。此次突破的關鍵在于,團隊將晶體管核心部件柵極尺寸壓縮至1納米級別。

這個尺寸相當于將頭發絲直徑(約8萬至10萬納米)縮小十萬倍。在原子級精度的操控下,科研人員構建出極細的“電場探針”,使通電時電場能量如水流匯聚針尖般高度集中。實驗數據顯示,僅需施加0.6伏微小電壓即可精準操控晶體管開關,較主流芯片0.7伏工作電壓降低14%,開關能耗較國際最優水平下降一個數量級,電壓效率突破鐵電材料理論極限達125%。

“這相當于用繡花針撬動巨石。”邱晨光形象比喻道。通過重構晶體管物理結構,團隊成功破解了傳統鐵電器件“高能耗”與“高性能”不可兼得的矛盾。該成果已發表于國際權威期刊《科學·進展》,審稿人評價其“重新定義了低功耗電子器件的可能性邊界”。

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