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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種樹(shù)狀仿生柵極結(jié)構(gòu)、功率半導(dǎo)體芯片”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121262869A，申請(qǐng)日期為2025年12月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種樹(shù)狀仿生柵極結(jié)構(gòu)、功率半導(dǎo)體芯片，該結(jié)構(gòu)包括柵pad區(qū)域，連接有電極引線；多個(gè)連接節(jié)點(diǎn)，分布在元胞區(qū)域內(nèi)，用于連接其周?chē)O(shè)定范圍內(nèi)的元胞柵；匯流結(jié)構(gòu)；以柵pad區(qū)域?yàn)楦?jié)點(diǎn)，以連接節(jié)點(diǎn)為葉子節(jié)點(diǎn)，以匯流結(jié)構(gòu)為枝條，連接呈樹(shù)狀發(fā)散拓展結(jié)構(gòu)；其中根節(jié)點(diǎn)經(jīng)匯流結(jié)構(gòu)到達(dá)每個(gè)連接節(jié)點(diǎn)的距離相同或滿足設(shè)定的近似距離要求；該結(jié)構(gòu)通過(guò)呈樹(shù)狀發(fā)散拓展的匯流結(jié)構(gòu)，使多個(gè)連接節(jié)點(diǎn)與柵pad區(qū)域距離相同，控制信號(hào)經(jīng)相同的距離到達(dá)連接節(jié)點(diǎn)上連接的元胞柵，各元胞柵的控制信號(hào)接收時(shí)間幾乎沒(méi)有延遲，提高了芯片內(nèi)部并聯(lián)元胞柵的開(kāi)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司取得一項(xiàng)名為“共源共柵結(jié)構(gòu)的多層氮化鎵開(kāi)關(guān)器件及芯片”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)CN116230712B，申請(qǐng)日期為2022年12月。天眼查資料顯示，深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)資本701.31107萬(wàn)人民幣。通過(guò)天眼查大數(shù)據(jù)分析，深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司共對(duì)外投資了5家企業(yè)，財(cái)產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息4條，專(zhuān)利信息209條，此外企業(yè)還擁有行政許可14個(gè)。聲明：市場(chǎng)有風(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成，僅供參考，不構(gòu)成個(gè)人投資建議。

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，算苗科技（北京）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“交叉開(kāi)關(guān)、片上系統(tǒng)及其訪問(wèn)控制方法、芯片”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121029662A，申請(qǐng)日期為2025年8月。專(zhuān)利摘要顯示，一種交叉開(kāi)關(guān)、片上系統(tǒng)及其訪問(wèn)控制方法、芯片，該交叉開(kāi)關(guān)包括M個(gè)輸入端口、N個(gè)輸出端口和K個(gè)多路分配器，M和K均為大于或等于1的自然數(shù)，N為大于1的自然數(shù)且N大于M；至少一個(gè)所述多路分配器包括一個(gè)輸入端和n個(gè)輸出端，n為大于1且小于或等于N的自然數(shù)，至少一個(gè)所述多路分配器的輸入端與一個(gè)所述輸入端口對(duì)應(yīng)連接，至少一個(gè)所述多路分配器的n個(gè)所述輸出端與n個(gè)所述輸出端口一一對(duì)應(yīng)連接。天眼查資料顯示，算苗科技（北京）有限公司，成立于2022年，位于北京市，是一家以從事科技推廣和應(yīng)用服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)資本100萬(wàn)人

未來(lái)，智能手機(jī)實(shí)現(xiàn)數(shù)周超長(zhǎng)待機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)傳感器電池續(xù)航數(shù)年、可穿戴設(shè)備告別頻繁充電，這些曾被視為科幻場(chǎng)景的愿景，正隨著一項(xiàng)顛覆性技術(shù)突破加速成為現(xiàn)實(shí)。北京大學(xué)電子學(xué)院科研團(tuán)隊(duì)近日宣布，成功研制出全球首款“納米柵超低功耗鐵電晶體管”，這項(xiàng)被國(guó)際學(xué)術(shù)界評(píng)價(jià)為“四兩撥千斤”的創(chuàng)新成果，為解決芯片能耗難題開(kāi)辟了全新路徑。傳統(tǒng)芯片架構(gòu)中，存儲(chǔ)與計(jì)算模塊的物理分離導(dǎo)致數(shù)據(jù)頻繁搬運(yùn)，如同廚師烹飪時(shí)需反復(fù)往返倉(cāng)庫(kù)取調(diào)料，既浪費(fèi)時(shí)間又消耗能量。研究團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人邱晨光研究員指出，鐵電晶體管雖具備“存算一體”特性——既能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)又可進(jìn)行計(jì)算，且斷電后信息不丟失，但其高操作電壓導(dǎo)致的巨大功耗始終制約著實(shí)際應(yīng)用。此次突破的關(guān)鍵在于，團(tuán)隊(duì)將晶體管核心部件柵極尺寸壓縮至1納米級(jí)別。這個(gè)尺寸相當(dāng)于將頭發(fā)絲直徑（約8萬(wàn)至10萬(wàn)納

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海艾為電子技術(shù)股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種用于芯片的開(kāi)關(guān)電路、芯片和電子設(shè)備”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121530358A，申請(qǐng)日期為2025年11月。專(zhuān)利摘要顯示，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種用于芯片的開(kāi)關(guān)電路、芯片和電子設(shè)備，其中開(kāi)關(guān)電路包括：功率管，所述功率管的輸入端與芯片的外部電源連接，所述功率管的輸出端與芯片內(nèi)的負(fù)載單元連接；多個(gè)放電電路，所述放電電路包括放電單元和檢測(cè)單元，所述放電單元的輸入端與所述功率管的控制端連接，所述檢測(cè)單元輸出端與所述放電單元的控制端連接；所述檢測(cè)單元檢測(cè)到預(yù)定的電路異常時(shí)，向所述放電單元的控制端輸出控制信號(hào)，控制所述放電單元按照設(shè)定的放電模式對(duì)所述功率管的控制端進(jìn)行放電；多個(gè)所述放電電路中，至少兩個(gè)所述放電電路通過(guò)所述檢測(cè)單元檢測(cè)的電路異

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江英能電子科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“預(yù)驅(qū)動(dòng)模塊、芯片及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121530363A，申請(qǐng)日期為2026年1月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明提供一種預(yù)驅(qū)動(dòng)模塊、芯片及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，包括：輸入級(jí)電路，基于輸入信號(hào)的控制為圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端充電或放電；圖騰柱結(jié)構(gòu)電路，輸出預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓，預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓源跟隨圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入電壓；第一比較器，產(chǎn)生第一比較結(jié)果；第二比較器，產(chǎn)生第二比較結(jié)果；上拉電路，受控于第一比較結(jié)果，用于加速預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓的升高；下拉電路，受控于第二比較結(jié)果，用于加速預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓的下降；電容，連接在圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端和外置功率管的漏極之間。本發(fā)明的預(yù)驅(qū)動(dòng)模塊、芯片及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)自適應(yīng)外置功率管的輸入電容，改善外置功率管開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的EMI問(wèn)題，工作效率高且

超高壓大功率放大器是一種能夠提供極高電壓和高功率輸出的設(shè)備，它在各種科學(xué)實(shí)驗(yàn)和技術(shù)應(yīng)用中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。這種設(shè)備不僅能夠提供穩(wěn)定的電壓和功率輸出，還能精確控制實(shí)驗(yàn)參數(shù)，從而確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。以下是超高壓大功率放大器能夠進(jìn)行的幾種主要實(shí)驗(yàn)及其詳細(xì)分析。1.高壓放電實(shí)驗(yàn)超高壓大功率放大器在高壓放電實(shí)驗(yàn)中扮演著核心角色。它可以提供足夠的電壓和功率，驅(qū)動(dòng)氣體放電管、閃光燈等器件進(jìn)行放電實(shí)驗(yàn)。這些實(shí)驗(yàn)包括氣體放電研究、等離子體物理實(shí)驗(yàn)和光譜分析等。通過(guò)高壓放大器提供的電壓和功率，可以產(chǎn)生穩(wěn)定而強(qiáng)大的放電效果，從而探索各種物理現(xiàn)象及其背后的機(jī)制。例如，在等離子體物理實(shí)驗(yàn)中，高壓放電可以產(chǎn)生高溫、高密度的等離子體，這對(duì)于研究核聚變、天體物理等領(lǐng)域具有重要意義。2.電場(chǎng)實(shí)驗(yàn)電場(chǎng)實(shí)驗(yàn)是另一種

在快充技術(shù)快速發(fā)展的當(dāng)下，英集芯推出的IP6559升降壓SOC芯片，為車(chē)載充電器、快充適配器及智能排插等設(shè)備帶來(lái)了全新的解決方案。這款芯片以其高度集成化的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了單芯片多功能集成，成為大功率快充領(lǐng)域的創(chuàng)新之作。IP6559將升降壓控制器、協(xié)議芯片及路徑NMOS控制功能集成于QFN48封裝（7×7mm）之中，僅需1顆電感和2顆功率MOSFET，便可構(gòu)建完整的100W快充方案。與傳統(tǒng)需要外置十余顆元件的設(shè)計(jì)方案相比，其PCB面積可減少約40%，元件數(shù)量降低約65%，BOM成本下降約32%。這種集成化設(shè)計(jì)不僅簡(jiǎn)化了硬件布局，還通過(guò)減少元件間信號(hào)干擾，提升了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。在功率管理方面，IP6559展現(xiàn)出強(qiáng)大的適應(yīng)性。它支持3.6V至31V的寬電壓輸入范圍，能夠兼容12V至24V的車(chē)充環(huán)境。其同

在電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，寬輸入電壓、高效率的升壓解決方案一直是工程師關(guān)注的重點(diǎn)。今天以 H6801 這款電流模式 BOOST 異步升壓控制芯片為例，簡(jiǎn)單談?wù)勂湓O(shè)計(jì)特點(diǎn)與應(yīng)用思路。一、適應(yīng)寬電壓輸入范圍H6801 支持 2.7V 至 25V 的輸入電壓，啟動(dòng)電壓可低至 2.5V。這樣的寬范圍輸入特性，使其能夠兼容多種電源環(huán)境，例如單節(jié)鋰電、多節(jié)串聯(lián)電池或適配器供電場(chǎng)景。芯片內(nèi)部集成了 40V LDO，進(jìn)一步增強(qiáng)了供電穩(wěn)定性。二、多模式自動(dòng)切換與效率表現(xiàn)該芯片可根據(jù)負(fù)載情況，在 PWM、PFM 及 BURST 模式之間自動(dòng)切換。輕載時(shí)采用 PFM 或 BURST 模式有助于降低損耗，重載時(shí)則以 PWM 模式維持穩(wěn)定輸出。這種動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)機(jī)制有助于在全負(fù)載范圍內(nèi)保持較高的轉(zhuǎn)換效率，典型效率可大于95%。在輸出

1、《開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)(第3版)》圖1.1是否有錯(cuò)誤？如果有錯(cuò)，錯(cuò)在哪里？該圖中電路是錯(cuò)的，錯(cuò)在兩個(gè)二極管中下面那個(gè)二極管與電容串聯(lián)，沒(méi)有直流通路，當(dāng)然也就無(wú)法為負(fù)載供電。 正確的電路如下：這是很簡(jiǎn)單的全波整流電容輸入濾波電路。2、某單片機(jī)需要接收串口信號(hào)，并根據(jù)串口信號(hào)將數(shù)據(jù)用8位數(shù)碼管顯示出來(lái)。電源電壓為24V，擬用一片7805線性穩(wěn)壓器為單片機(jī)和8位數(shù)碼管供電。請(qǐng)估算7805效率。你認(rèn)為這個(gè)方案是否能夠接受？ 7805這類(lèi)三端線性穩(wěn)壓芯片，自身耗電比較小(典型值4～8mA)，相對(duì)于負(fù)載電流可以忽略，所以可以粗略地認(rèn)為7805負(fù)載上的電流(輸出電流)等于輸入電流。既然輸出電流等于輸入電流，那么效率就等于輸出電壓比輸入電壓。對(duì)本例來(lái)說(shuō)，為5/24＝20.8％。考慮到8905自身消耗電流，實(shí)際上